项目名称: 高真空磁控溅射系统一套 项目编号: ZBZXHB******
公告开始日期: 2025-07-10 14:40:48 公告截止日期: 2025-07-15 15:00:00
采购单位:******大学 付款方式: 请查看比选文件
到货时间要求: 合同签订后150个日历日内
预算总价: ¥990000.00
收货地址: 望江校区第一理科楼楼中124 房间
采购清单
采购商品: 高真空磁控溅射系统 采购数量: 1 计量单位: 台 所属分类: 其他试验仪器及装置
品牌: -
型号: -
预算单价: ¥990000.00
技术参数及配置要求: 该设备具有可控制的磁场、稳定的氩气控制方案,主要用于在超高真空环境中制备单层、多层薄膜,主要为多层金属薄膜、合金薄膜、半导体材料薄膜、氧化物薄膜等;溅射方式主要有直流溅射以及射频溅射。一、真空系统:1.▲超高真空304不锈钢圆柱体反应腔体,尺寸不小于450mm高×350mm直径;腔体顶部采用橡胶圈密封,底部采用金属密封;采用前开门设计,方便打开腔体;主腔体配备不少于1个6英寸观察窗,带手动挡板;2.★极限真空度:8×10-5Pa;3.恢复真空时间:大气至3×10-3Pa≤15min;4.保真空:达到极限真空度后,关闭高真空阀一小时,真空室真空度≤7×10-1Pa;5.▲电动蝶阀采用伺服控制,用于自动恒真空系统,使溅射使真空保持恒定。6.★真空系统配置:分子泵和前级泵组合,配软抽阀及软放阀(可减少真空室排大气时湍流对工件的影响), 管道通径为16mm,真空系统管道采用不锈钢材料,管道软连接处采用金属波纹管;各真空阀门为气动阀门。二、工艺能力:1.制造商需要配合用户做工艺设计和工艺参数调整;2.★制造商需具备一定的技术基础与工艺能力,采用磁控溅射单一技术,制备Ni金属单质薄膜,厚度≥300nm,基底尺寸要求>φ50mm,基底材质为PI基材),并在投标时提供样品的测试数据(附在投标文件中)。要求样品肉眼观察无明显裂纹,背面用光源照射时也不会出现明显裂纹。3.▲根据工艺要求,设备成膜均匀性最优可达(SiO2):±1.5% @ 200mm基片(去除边缘5mm);三、样品台系统: 1.★样品台具备溅射4英寸基片的能力并向下兼容,安装在真空腔顶部,向上溅射,样品台配置最高温度不低于800℃,加热系统采用控温精度±1℃;2.▲样品台可调工作距离不少于70mm,铝合金材质;3.工件转动的动密封为磁流体密封,工件盘轴向、径向跳动≤±2.5%;四、电源和靶系统:1.★主腔室底部配置不少于3套4英寸(使用直径4英寸的靶材)靶枪;2.所有靶枪均配备独立的气动挡板和套筒,防止靶材交叉污染;3.所有靶枪适应直流电源或射频电源工作模式;4.★靶枪电源包括:不少于2套功率500W直流电源,带专用4路切换器,通过切换器,其中1个直流电源可连接4个靶枪,通过电脑控制切换给不同靶枪供电;不少于1套功率600W射频电源,带自动匹配网络及输出电缆;五、电控系统:1.▲控电柜采用一体式,仪表安装柜采用非标准英尺寸,另一侧作为电器元件安装柜结构为大板式,便于安装维护,元器件损坏时应易于检测和更换;2.★配不小于15寸触摸屏控制功能,具有良好的人机界面与操作功能,可实现溅射镀膜过程全自动化控制,从排气到溅射镀膜结束整个过程一键式自动控制,安全连锁的操作系统;3.控电柜内主要电器外购件均选用通过CE认证或ISO9001认证的生产厂商的产品,确保安全可靠。六、样品处理装置1. 加热板材质:陶瓷涂层铝合金2. 搅拌速度:50-1500rpm3. 温度范围:室温-320℃4. 具备计时功能5. 具备自动反转功能七、配置清单1. 真空腔体1套;2. 分子泵和直联泵各1套;3. 射频电源2套,直流电源1套;4. 电控一体机1套;5. 冷却循环水1套;6. 样品处理装置1套;7. 满足招标要求的其他配置;
售后服务: 服务年限:12月;电话支持:7x24小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品;质保期:一年;